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6月20日，国家记忆基地二期工程在武汉东湖高新区未来科技城国家记忆基地工地开工建设。据紫光集团和长江存储公司董事长赵卫国介绍，国家存储基地项目始于2016年12月30日，计划分两个阶段建设一个3d nand闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，第一阶段主要实现了技术突破，产能为10万块/月，第二阶段计划产能为20万块/月，第二阶段项目投产后，月总产能为30万块。

来源：环球邮报中文网

标题：国家存储器基地项目二期开工 规划产能20万片/月

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